CIAI2012天津滨海自动化展：高科技元素凸显装备制造业趋势

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天津d）基于新型dibrominatedthieno[3,2-b]thiopheneisoindigo单体单元的分子结构;顶栅极底接触OFET的转移特性曲线。

滨海备制图五：应变增强的界面电荷转移的机制（a-b）UPS所示的MoS2和ZnO的费米能级（EF）和价带最大值（EVBM）之间的功函数（a）和能量差（b）。自动造业文献链接：Strain-EngineeredvanderWaalsInterfacesofMixed-DimensionalHeterostructureArrays(ACSNano,2019,DOI:10.1021/acsnano.9b03239)团队在该领域的其他工作主要包括：1.混合维度异质结构光电与电子器件Zhang,Z.,Lin,P.,Liao,Q.,Kang,Z.,Si,H.,Zhang,Y.Graphene‐BasedMixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructuresforAdvancedOptoelectronics.AdvancedMaterials,2019,1806411.Du,J.,Liao,Q.,Hong,M.,Liu,B.,Zhang,X.,Yu,H.,...Zhang,Z.Piezotroniceffectoninterfacialchargemodulationinmixed-dimensionalVanderWaalsheterostructureforultrasensitiveflexiblephotodetectors.NanoEnergy,2019,58,85-93.Wu,H.,Kang,Z.,Zhang,Z.,Zhang,Z.,Si,H.,Liao,Q.,...Zhang,Y.InterfacialChargeBehaviorModulationinPerovskiteQuantumDot‐MonolayerMoS20D‐2DMixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructures.AdvancedFunctionalMaterials,2018,28,1802015.Liu,S.,Liao,Q.,Lu,S.,Zhang,Z.,Zhang,G.,Zhang,Y.Strainmodulationingraphene/ZnOnanorodfilmschottkyjunctionforenhancedphotosensingperformance.AdvancedFunctionalMaterials,2016,26,1347-1353.Wu,H.,Si,H.,Zhang,Z.,Kang,Z.,Wu,P.,Zhou,L.,...Zhang,Y.All‐InorganicPerovskiteQuantumDot‐MonolayerMoS2Mixed‐DimensionalvanderWaalsHeterostructureforUltrasensitivePhotodetector.AdvancedScience,2018,5,1801219.2.二维材料电子结构的缺陷调控及其光电与电子器件Zhang,X.,Liao,Q.,Liu,S.,Kang,Z.,Zhang,Z.,Du,J.,...Zhang,Y.Poly(4-styrenesulfonate)-inducedsulfurvacancyself-healingstrategyformonolayerMoS2homojunctionphotodiode.Naturecommunications,2017,8,15881.Zhang,X.,Liao,Q.,Kang,Z.,Liu,B.,Ou,Y.,Du,J.,...Zhang,Y.Self-HealingOriginatedvanderWaalsHomojunctionswithStrongInterlayerCouplingforHigh-PerformancePhotodiodes.ACSnano,2019,13,3280-3291.Yu,Y.,Zhang,X.,Zhou,Z.,Zhang,Z.,Bao,Y.,Xu,H.,...Wang,X.Microscopicpump-probeopticaltechniquetocharacterizethedefectofmonolayertransitionmetaldichalcogenides.PhotonicsResearch,2019,7,711-721.本文由大兵哥供稿。

化展【图文导读】图一：具有周期性应变调控的1L-MoS2/ZnO异质结阵列的制备和基础表征（a）1L-MoS2/ZnO异质结阵列的示意图。高科（e）在532nm激光激发下1L-MoS2/ZnO异质结阵列的拉曼光谱。技元（c-d）单个ZnO纳米棒上1L-MoS2的拉曼扫描光谱图绘制（c）E12g峰值频移和（d）A1g峰值频移。

素凸（c）区域A（未应变的1L-MoS2）和B（应变的1L-MoS2）中的1L-MoS2的PL光谱。此外，显装二维材料优异的力学性能和半导体性能，显装使其电子结构在应变作用下可以实现高效调制，这为通过应变工程实现电荷高效界面输运提供了可能性。

趋势利用一维半导体诱导纳米压印可以得到周期性梯度双轴应变。

天津（e）在ZnO纳米棒基底上的1L-MoS2的PL积分强度扫描图（积分范围1.75-1.85eV）。我当时心里特别感动，滨海备制觉得自己做的一切都是值得的。

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